a15晶体管数量

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a15晶体管数量150亿个。

A15处理器集成多达150亿个晶体管，对比上代115亿个增加了35亿个，也就是足足30％，制造工艺还是台积电5nm。

A15的CPU仍然分为几个部分，CPU仍然采用6核心，齐总包括2个大核和4个小核，GPU方面则从A14的4核心升级到6核心，官方宣称CPU性能领先竞品50%，而GPU性能则领先30%。

芯片的强度

先说CPU方面，A15芯片的CPU单核得分1741，多核得分4908。而A16相比于A15，提升比例大约是10-20%，我们按15%来算。

则相当于单核提升至2000分左右，而多核提升至5640分左右。

而安卓最强芯片高通骁龙8+的单核得分是1343，多核得分4211，意味着A16在CPU上，单核要比安卓最强芯片高50%，而多核也高出34%左右。

CPU方面，除了性能提升，功能控制更好，A16功耗也比A15降低了20％，能效核则号称只有竞品三分之一的功耗。

再说GPU方面，提升大约在30%左右，与高通骁龙8+比起来，在GPU方面，就差别不是那么大了，处于同一水准线，好也好不了多少。

AI这次稍有点挤牙膏了，还是16个引擎，每秒算力从A15上的15.8万亿次增加到17万亿次，提升幅度不到8％。

综合起来看，苹果A16的性能，至少领先安卓芯片1没什么问题，领先2代都有可能。因为苹果拿A15出来，就能打赢安卓最强芯片，单从CPU性能来看，A14都不差于高通8+。

不是，主流的英特尔处理器会有20亿个晶体管，高端产品可以达到60亿个，一个个的链接方法不现实，所以我们采用光刻蚀技术。

光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂。

当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。

在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体)，多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。

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